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品牌簡(jiǎn)介：ISSI是為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)，開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者：(i)汽車，(ii)通信，(iii)數(shù)字消費(fèi)者和(iv)工業(yè)/醫(yī)療/軍事。他們的主要產(chǎn)品是高速，低功耗SRAM和中低密度DRAM。通過收購Si En，他們還設(shè)計(jì)和銷售高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。他們以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品為目標(biāo)，瞄準(zhǔn)高增長市場(chǎng)，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。即使在生產(chǎn)能力緊張的情況下，他們?nèi)匀皇谴鎯?chǔ)器產(chǎn)品(包括低密度和小批量產(chǎn)品)的長期承諾供應(yīng)商。深圳市華聯(lián)歐國際貿(mào)易有限公司長年低價(jià)供應(yīng)ISSI,美國ISSI DARM存儲(chǔ)芯片,ISSI音頻放大器等歐美工業(yè)自動(dòng)化備品備件，100%原裝正品行貨，品質(zhì)保證，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉。實(shí)力雄厚的銷售團(tuán)隊(duì)，專業(yè)、省心、快速。做這行我們是認(rèn)真的，專業(yè)班子在做，相比不靠譜的同行來說相信我們更專業(yè)!更加有優(yōu)勢(shì)!找我們準(zhǔn)沒錯(cuò)。
一、美國ISSI DARM公司簡(jiǎn)介
ISSI是為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)，開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者：(i)汽車，(ii)通信，(iii)數(shù)字消費(fèi)者以及(iv)工業(yè)和醫(yī)療。他們的主要產(chǎn)品是高速，低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。他們以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品為目標(biāo)，瞄準(zhǔn)高增長市場(chǎng)，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。即使在生產(chǎn)能力緊張的情況下，他們?nèi)匀皇谴鎯?chǔ)器產(chǎn)品(包括低密度和小批量產(chǎn)品)的長期承諾供應(yīng)商。
ISSI的總部位于加利福尼亞州的米爾皮塔斯，在中國，歐洲，香港，印度，日本，韓國，新加坡，臺(tái)灣和美國設(shè)有全球辦事處。他們的外包制造模型基于與亞洲和國內(nèi)主要鑄造廠的聯(lián)合技術(shù)開發(fā)關(guān)系的歷史。他們還將在選定的鑄造廠進(jìn)行戰(zhàn)略股權(quán)購買。通過在中國，韓國和臺(tái)灣地區(qū)增加設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，他們擴(kuò)大了在重要的亞洲市場(chǎng)的影響力，目前他們?cè)谶@些地區(qū)雇用了80多名設(shè)計(jì)，產(chǎn)品和測(cè)試工程師。這些設(shè)計(jì)小組是對(duì)位于加利福尼亞州圣何塞總部的核心工程和產(chǎn)品管理團(tuán)隊(duì)的補(bǔ)充。近年來，對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。
二、美國ISSI DARM部分產(chǎn)品介紹
1、美國ISSI DARM閃光
①單電源供電
②具有成本效益的行業(yè)/區(qū)塊架構(gòu)
③低待機(jī)電流1uA(典型值)
④兼容串行外設(shè)接口(SPI)
⑤頁面程序(最大256字節(jié))操作
⑥扇區(qū)，塊或芯片擦除操作
⑦低功耗
⑧硬件/軟件寫保護(hù)
⑨行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳排列和封裝
⑩卓越的耐力：100K次循環(huán)后至少20年
2、美國ISSI DARM串行SRAM和串行RAM
①行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI和QPI協(xié)議接口
②低信號(hào)計(jì)數(shù)
③低功耗
④工業(yè)級(jí)：-40°C至+85°C
⑤汽車級(jí)(A1)等級(jí)：-40°C至+85°C
⑥汽車級(jí)(A2)等級(jí)：-40°C至+105°C
3、美國ISSI DARM DDR4 SDRAM
①雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
②寫命令時(shí)每字節(jié)的數(shù)據(jù)屏蔽
③每個(gè)DRAM的可編程性
④數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)（DBI）
⑤寫周期冗余校驗(yàn)（CRC）
⑥動(dòng)態(tài)ODT
⑦細(xì)粒度刷新模式
⑧長期支持
4、美國ISSI DARM MCP(多芯片封裝)
①DD2=1.2V，VDDCA/VDDQ=1.2V，VDD1=1.8V
②時(shí)鐘頻率范圍：10MHz
③至533MHz-(數(shù)據(jù)速率范圍：每個(gè)I/O 20Mbps至1066Mbps)
④低電量
⑤168球PoP BGA封裝
⑥長期支持
三、美國ISSI DARM主要產(chǎn)品和型號(hào)
1、美國ISSI DARM主要產(chǎn)品
①美國ISSI DARM音頻放大器
②美國ISSI DARM LED驅(qū)動(dòng)擴(kuò)展器
③美國ISSI DARM傳感器
④美國ISSI DARM電源
⑤美國ISSI DARM晶圓
⑥美國ISSI DARM多芯片封裝
2、美國ISSI DARM產(chǎn)品型號(hào)
①美國ISSI DARM LPDDR2 DRAM+串行NOR閃存
②美國ISSI DARM LPDDR2 DRAM+NAND閃存
③美國ISSI DARM DDR3/DDR3L SDRAM
④美國ISSI DARM帶有ECC的DDR3 SDRAM
⑤美國ISSI DARM 1.8V DDR2 SDRAM
⑥美國ISSI DARM 2.5V DDR SDRAM
⑦美國ISSI DARM 3.3V SDR SDRAM
⑧美國ISSI DARM異步SRAM
⑨美國ISSI DARM同步SRAM
⑩美國ISSI DARM QUAD(P)和DDR-II(P)
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